随着消费电子进入AI时代,“内存墙”问题愈发明显。

咱们先看看国联证券相关研报:

面对AI,相信大家对相关逻辑也是如数家珍,上一年的算力炒的如火如荼,但存力呢?

存力也有炒,但最后的结果却是以暴雷收尾。在AI大火,算力与存力大增的背景下,大家所熟知的北京君正、兆易创新等老牌公司却在四季报出现集体亏损,这又到底为何呢?

那是因为存力方面,火的是HBM,而不是DRAM。

英伟达在24年集中采购的存储芯片正是HBM,目前韩国SK海力士就是这个行业的龙头,并且将其定为24年的第一发展战略。

虽然国内目前并没有一家真正能够自主生产HBM的企业,但不可否认HBM是一个值得我们关注的好方向、好机会。

毕竟英伟达确确实实在疯狂采购,是目前最适合用于AI训练、推理的芯片,更何况国产替代不正是当下大家最喜欢的思路吗?

不过凡事都有两面性,对于HBM的国产替代之路,可能有一些大家意想不到的因素阻碍,这也有可能会是未来压制中国HBM发展的最大利空。

其中,最重要的一件事:

尽管美国三令五申要求韩国停止向我国进行供货;但我们仍然能在华为最新的电子产品上看到海力的储存芯片。

其一边向美国否认向我国供货,一边又偷偷摸摸给产品。

这也导致了北京君正、兆易创新等传统存储芯片公司在去年存储芯片大火的背景下出现四季度集体亏损。

这也是为何国家会在这个节点开发大基金第三期的原因。

说到这,希望大家先思考一个问题,你是什么原因关注存储芯片?

因为韩国存储芯片库存下降?因为SK海力士股价翻倍?还是因为国家三期大基金要大力支持新兴芯片发展?

我们一定要再次明确,HBM大火的原因是英伟达,而英伟达大火的原因又是AI服务器需求激增。

如果你想找HBM的发散行情,那你完全也可以去做CPO、去做AI服务器,而不是退而求其次,再次选择传统的DRAM。

随着苹果AI手机即将来袭,如果存力实现翻倍,那么HBM需求必将激增,所以对存储芯片有兴趣的朋友就盯着HBM这个需求最大的新概念来选。

目前从海力士公开的信息可知,韩国目前已经进入第五代“HBM3E”量产阶段,并且预计2025年至2026年将批量生产第六代“HBM4”。

而国内目前最早能够实现国产替代的产品为HBM2,其最快也得到25年。

差距很大,唯有奋起直追。

目前看来DRAM扩产是最明确的,而且下一个新fb已进入规划中,所以大基金三期募集的资金 , DRAM应该是最先也能获得最大金额的公司。

DRAM同时也代表HBM , 这是全球半导体发展明确的趋势 , 大基金与国资大量入股,在未来国产DRAM公司(长江存储、长鑫存储)必将充当先锋。

其中,据最新消息报道,国内最大的 DRAM 芯片制造商长鑫存储与芯片封装测试公司通富微电合作开发了HBM 芯片样品口,甚至这些芯片已经向客户展示。

AI带来的存力增量,或许能使它在后续中搭上快车。

当然,对通富微电高看一眼并不意味着它能一飞冲天,毕竟作为板块容量中军,300多个亿的盘子摆在这,你让他在缩量下天天大涨不现实,但不妨碍我们用趋势的眼光去看待它。

其最近虽然走得并没想象中的强势,但资金却是实实在在打进去了。

我们对比前一段涨停的量,最近两周可以说是上次的三倍起,大家要知道,最近市场可是一直在缩量啊,市场缩量,个股放量,这还不值得我们高看一眼吗?

接下来不妨多一点耐心,以趋势的眼光去看待它。

作者利益披露:原创,不作为证券推荐或投资建议,截至发文时,作者持有相关标的,下一个交易日内可能择机卖出。

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